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Title page |
5 |
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Inhalt |
7 |
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Vorwort |
17 |
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1 Allgemeine einführung in die mikrostrukturtechnik |
19 |
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1.1 Was ist mikrostrukturtechnik? |
19 |
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1.2 Von der mikrostrukturtechnik zur mikrosystemtechnik |
27 |
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2 Parallelen zur mikroelektronik |
33 |
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2.1 Herstellung von einkristallscheiben |
33 |
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2.1.1 Herstellung von silizium-einkristallen |
35 |
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2.1.1.1 Tiegelziehverfahren (czochralski-verfahren) |
37 |
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2.1.1.2 Zonenziehverfahren (float-zone-verfahren) |
39 |
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2.1.1.3 Segregation |
41 |
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2.1.1.4 Weiterverarbeitung der ingots |
43 |
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2.1.2 Herstellung von gaas-einkristallen |
46 |
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2.1.2.1 Bridgmanund gradient-freeze-verfahren |
46 |
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2.1.2.2 Lec-verfahren (liquid encapsulated czochralski) |
48 |
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2.2 Technologische grundprozesse |
49 |
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2.2.1 Herstellung eines integrierten schaltkreises |
51 |
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2.2.1.1 Reinigung |
51 |
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2.2.1.2 Oxidation |
52 |
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2.2.1.3 Photolithographie |
52 |
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2.2.1.4 Ionenimplantation und diffusion |
53 |
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2.2.1.5 Ätzen |
53 |
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2.2.1.6 Beschichtung |
54 |
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2.3 Weiterverarbeitung der integrierten schaltungen |
54 |
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2.3.1 Anforderungen an die aufbauund verbindungstechnik |
55 |
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2.3.2 Hybridtechniken |
56 |
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2.3.2.1 Dickschichttechnik |
56 |
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2.3.2.2 Bestücken und löten der schaltung |
57 |
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2.3.2.3 Montage und kontaktierung ungehäuster halbleiterbauelemente |
58 |
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2.4 Reinraumtechnik |
59 |
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2.4.1 Partikelmessung im reinraum |
63 |
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2.5 Punktfehler und ausbeute bei halbleiterbauelementen |
63 |
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3 Physikalische und chemische grundlagen der mikrotechnik |
67 |
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3.1 Kristalle und kristallographie |
67 |
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3.1.1 Gitter und gittertypen |
68 |
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3.1.2 Stereographische projektion |
70 |
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3.1.3 Silizium-einkristall |
74 |
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3.1.4 Reziprokes gitter und kristallstrukturanalyse |
76 |
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3.2 Methoden zur bestimmung der kristallstruktur |
83 |
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3.2.1 Röntgenstrahlbeugung |
83 |
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3.2.2 Elektronenstrahlbeugung |
85 |
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|
3.3 Grundlagen der galvanischen abscheidung |
87 |
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3.3.1 Phasengrenze elektrode-elektrolyt |
90 |
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3.3.1.1 Elektrisches und elektrochemisches potential |
90 |
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|
3.3.2 Polarisation und überspannung |
93 |
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|
3.3.3 Mechanismen der kathodischen metallabscheidung |
95 |
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|
3.3.3.1 Migration |
97 |
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|
3.3.3.2 Diffusion |
98 |
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|
3.3.3.3 Konvektion |
98 |
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|
3.3.3.4 Stofftransportvorgänge während der mikrogalvanoformung |
101 |
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|
3.4 Grundlagen der vakuumtechnik |
102 |
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|
3.4.1 Mittlere freie weglänge |
102 |
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|
3.4.2 Wiederbedeckungszeit |
104 |
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|
3.4.3 Geschwindigkeit von atomen und molekülen |
105 |
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|
3.4.4 Gasdynamik |
107 |
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|
3.4.5 Die einteilung des technischen vakuums |
107 |
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|
3.5 Vakuumerzeugung |
109 |
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3.5.1 Pumpen für grobund feinvakuum |
109 |
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|
3.5.1.1 Verdränger-vakuumpumpen |
109 |
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|
3.5.2 Hochvakuumund ultrahochvakuumpumpen |
111 |
|
|
3.5.2.1 Treibmittelvakuumpumpen |
113 |
|
|
3.5.2.2 Gas bindende vakuumpumpen (sorptionspumpen) |
114 |
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|
3.6 Vakuummessung |
117 |
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|
3.6.1 Druckmessdose |
117 |
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|
3.6.2 Wärmeleitungsvakuummeter |
117 |
|
|
3.6.3 Reibungsvakuummeter |
118 |
|
|
3.6.4 Ionisationsvakuummeter mit unselbständiger entladung (glühkathode) |
118 |
|
|
3.6.5 Ionisationsvakuummeter mit selbständiger entladung (penning-prinzip) |
119 |
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|
3.6.6 Leckage und lecksuche |
120 |
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|
3.7 Eigenschaften von dünnschichten |
121 |
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|
3.7.1 Strukturzonenmodelle |
121 |
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|
3.7.2 Haftfestigkeit der schicht |
124 |
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|
4 Materialien der mikrosystemtechnik |
127 |
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|
4.1 Materialeigenschaften |
129 |
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|
4.1.1 Thermische eigenschaften |
130 |
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|
4.1.1.1 Wärmeleitfähigkeit |
131 |
|
|
4.1.1.2 Spezifische wärme |
131 |
|
|
4.1.1.3 Latente wärme |
132 |
|
|
4.1.1.4 Wärmeausdehnungskoeffizient |
132 |
|
|
4.1.2 Elektrische eigenschaften |
133 |
|
|
4.1.2.1 Elektrische leitfähigkeit |
133 |
|
|
4.1.2.2 Dielektrische konstante |
134 |
|
|
4.1.2.3 Thermoelektrizität |
134 |
|
|
4.1.2.4 Piezoresistivität |
135 |
|
|
4.1.3 Mechanische eigenschaften |
137 |
|
|
4.2 Kunststoffe |
138 |
|
|
4.2.1 Ordnung der makromoleküle |
139 |
|
|
4.2.2 Polymere für die lithographie |
140 |
|
|
4.2.3 Flüssigkristalle |
142 |
|
|
4.2.4 Flüssigkristalline polymere |
143 |
|
|
4.2.5 Gele |
145 |
|
|
4.2.6 Elektrorheologische flüssigkeiten |
147 |
|
|
4.3 Halbleiter |
149 |
|
|
4.4 Keramiken |
152 |
|
|
4.4.1 Keramik als substrat |
152 |
|
|
4.4.2 Keramik als material für aktoren |
153 |
|
|
4.4.3 Keramik als material für gassensoren |
153 |
|
|
4.5 Metalle |
154 |
|
|
4.5.1 Magnetostriktive metalle |
155 |
|
|
4.5.2 Anwendungen der magnetostriktion |
157 |
|
|
4.5.3 Formgedächtnis-legierungen |
158 |
|
|
4.5.3.1 Einwegeffekt |
159 |
|
|
4.5.3.2 Zweiwegeffekt |
160 |
|
|
4.5.3.3 Unterdrücktes formgedächtnis |
161 |
|
|
4.5.3.4 Einsatz als aktoren |
162 |
|
|
4.5.3.5 Herstellung |
162 |
|
|
4.5.3.6 Eigenschaften der formgedächtnis-legierungen |
163 |
|
|
5 Basistechnologien der mikrotechnik |
165 |
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|
5.1 Schichtabscheidung |
165 |
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|
5.1.1 Physikalische beschichtungstechniken |
165 |
|
|
5.1.1.1 Aufdampfen |
165 |
|
|
5.1.1.2 Sputtern (kathodenzerstäuben) |
169 |
|
|
5.1.1.3 Ionenplattieren |
171 |
|
|
5.1.2 Chemische beschichtungstechniken |
172 |
|
|
5.1.2.1 Cvd-verfahren |
172 |
|
|
5.1.2.2 Epitaxie |
178 |
|
|
5.1.2.3 GaAs-epitaxie |
181 |
|
|
5.1.2.4 Plasmapolymerisation |
181 |
|
|
5.2 Schichtmodifikation |
182 |
|
|
5.2.1 Thermische oxidation |
182 |
|
|
5.2.2 Diffusion |
183 |
|
|
5.2.3 Ionenimplantation |
185 |
|
|
5.3 Schichtabtragung (ätzen) |
186 |
|
|
5.3.1 Physikalische und chemische trockenätzverfahren |
188 |
|
|
5.3.1.1 Plasmaquellen |
190 |
|
|
5.3.1.2 Charakteristika der rein physikalischen ätzprozesse |
191 |
|
|
5.3.1.3 Kombination chemischer und physikalischer ätzprozesse |
196 |
|
|
5.3.1.4 Charakteristika des reaktiven ionenund ionenstrahlätzens |
198 |
|
|
5.3.1.5 Das rein chemische ätzen |
199 |
|
|
5.4 Analyse von dünnschichten und oberflächen |
202 |
|
|
5.4.1 Elektronenstrahl-mikroanalyse (electron probe microanalysis, epm) |
203 |
|
|
5.4.2 Auger-elektronenspektroskopie (AES) |
204 |
|
|
5.4.3 Photoelektronenspektroskopie (electron spectroscopy for chemical analysis, esca) |
205 |
|
|
5.4.4 Sekundärionen-massenspektrometrie (SIMS) |
206 |
|
|
5.4.5 Sekundär-neutralteilchen-massenspektrometrie (SNMS) |
206 |
|
|
5.4.6 Ionen-streuspektroskopie (ISS) |
207 |
|
|
5.4.7 Rutherford-rückstreuungsspektroskopie (rutherford backscattering spectroscopy, RBS) |
207 |
|
|
5.4.8 Rastertunnelmikroskop (atomic force microscope, AFM) |
208 |
|
|
6 Lithographie |
209 |
|
|
6.1 Überblick und historie |
209 |
|
|
6.2 Resists |
214 |
|
|
6.3 Verfahren der lithographie |
216 |
|
|
6.3.1 Computer aided design (CAD) |
217 |
|
|
6.3.1.1 Cad-entwurf |
218 |
|
|
6.3.1.2 Justiermarken und teststrukturen |
220 |
|
|
6.3.1.3 Organisation des entwurfs (hierarchie, layers) |
221 |
|
|
6.4 Elektronenstrahllithographie |
223 |
|
|
6.4.1 Gauß’scher strahl |
224 |
|
|
6.4.2 Geformter strahl |
229 |
|
|
6.4.3 Postprozessor |
231 |
|
|
6.5 Proximity-effekt |
232 |
|
|
6.6 Optische lithographie |
234 |
|
|
6.6.1 Masken |
235 |
|
|
6.6.2 Schattenprojektion |
236 |
|
|
6.6.3 Abbildende projektion |
239 |
|
|
6.6.3.1 Ganzscheiben-belichtung |
240 |
|
|
6.6.3.2 Moderne lithographiemaschinen |
241 |
|
|
6.7 Weiterentwicklungen |
242 |
|
|
6.7.1 Phasenmasken |
242 |
|
|
6.7.2 Spezielle resisttechnologien |
243 |
|
|
6.7.3 Optische lithographie für die mikrostrukturtechnik |
244 |
|
|
6.8 Ionenstrahllithographie |
249 |
|
|
6.9 Röntgenlithographie |
250 |
|
|
6.9.1 Masken für die röntgenlithographie |
251 |
|
|
6.9.2 Röntgenlichtquellen |
252 |
|
|
6.9.3 Synchrotronstrahlung |
253 |
|
|
6.9.4 Einsatz der röntgenlithographie |
258 |
|
|
7 Silizium-mikromechanik |
259 |
|
|
7.1 Siliziumtechnologie |
260 |
|
|
7.1.1 IC-prozesse und -substrate |
261 |
|
|
7.1.2 Foundry-technologien |
265 |
|
|
7.2 Silizium-bulk-mikromechanik |
266 |
|
|
7.2.1 Einleitung |
266 |
|
|
7.2.1.1 Ätzrate und anisotropie |
268 |
|
|
7.2.1.2 Selektivität |
269 |
|
|
7.2.1.3 Prozesskompatibilität |
269 |
|
|
7.2.1.4 Einfachheit der verwendung und sicherheit |
270 |
|
|
7.2.1.5 Kosten |
271 |
|
|
7.2.2 Nasschemisches ätzen |
271 |
|
|
7.2.2.1 Hna-ätzlösungen |
271 |
|
|
7.2.2.2 Alkalihydroxid-ätzlösungen |
273 |
|
|
7.2.2.3 Ammoniumhydroxid-ätzlösungen |
277 |
|
|
7.2.2.4 Ethylendiamin-brenzkatechin-ätzlösungen |
278 |
|
|
7.2.3 Grundlegende ätzformen |
279 |
|
|
7.2.3.1 Ätzgruben und -gräben |
280 |
|
|
7.2.3.2 Membranen |
282 |
|
|
7.2.3.3 Mesas und spitzen |
282 |
|
|
7.2.3. 4 Cantilever |
283 |
|
|
7.2.3. 5 Brücken |
285 |
|
|
7.2.4 Ätzkontrolle |
286 |
|
|
7.2.4.1 Ätzstoppmechanismen |
286 |
|
|
7.2.4.2 Elektrochemisches siliziumätzen |
289 |
|
|
7.2.4.3 Elektrochemische siliziumporosifizierung |
291 |
|
|
7.2.5 Charakterisierung von anisotropen nassätzmitteln |
292 |
|
|
7.2.6 Trockenätzen |
294 |
|
|
7.2.6.1 Xef2-ätzen |
294 |
|
|
7.6.2.2 Fertigung von mikrostrukturen mit hohem aspektverhältnis |
297 |
|
|
7.2.6.3 Anwendungen von trockenem siliziumätzen |
299 |
|
|
7.3 Oberflächenmikromechanik |
303 |
|
|
7.3.1 Polysilizium-mikromechanik |
305 |
|
|
7.3.2 Opferaluminium-mikromechanik |
308 |
|
|
7.3.3 Opferpolymer-mikromechanik |
310 |
|
|
7.3.4 Sticking |
311 |
|
|
7.4 Mikrowandler und -systeme in der siliziumtechnologie |
312 |
|
|
7.4.1 Mechanische bauteile und systeme |
313 |
|
|
7.4.1.1 Drucksensoren |
314 |
|
|
7.4.1.2 Beschleunigungssensoren |
316 |
|
|
7.4.1.3 Drehratensensoren |
318 |
|
|
7.4.1.4 Stresssensoren |
320 |
|
|
7.4.2 Thermische mikrobauteile und -systeme |
322 |
|
|
7.4.2.1 Temperaturmessung |
322 |
|
|
7.4.2.2 Durchflusssensoren |
326 |
|
|
7.4.2.3 Vakuumund drucksensoren |
329 |
|
|
7.4.3 Komponenten und systeme für strahlungssignale |
331 |
|
|
7.4.3.1 Ungekühlte infrarotdetektoren |
331 |
|
|
7.4.3.2 Thermische szenensimulatoren |
334 |
|
|
7.4.3.3 Lichtschalter |
334 |
|
|
7.4.4 Magnetische bauteile und systeme |
337 |
|
|
7.4.5 Chemische mikrosensoren |
339 |
|
|
7.4.5.1 Mikrofluidische komponenten und systeme |
342 |
|
|
7.4.6 Mikromechanische bauteile für die signalverarbeitung |
344 |
|
|
7.5 Zusammenfassung und ausblick |
346 |
|
|
8 LIGA-verfahren |
347 |
|
|
8.1 Überblick |
347 |
|
|
8.2 Maskenherstellung |
349 |
|
|
8.2.1 Prinzipieller aufbau einer maske |
349 |
|
|
8.2.1.1 Absorber |
349 |
|
|
8.2.1.2 Trägerfolie |
350 |
|
|
8.2.2 Herstellung der trägerfolien |
352 |
|
|
8.2.3 Strukturierung des resists für röntgenzwischenmasken |
353 |
|
|
8.2.3.1 Optische lithographie |
353 |
|
|
8.2.3.2 Direkte elektronenstrahllithographie |
354 |
|
|
8.2.3.3 Reaktives ionenätzen |
355 |
|
|
8.2.3.4 Vergleich der strukturierungsmethoden zur herstellung von zwischenmasken |
355 |
|
|
8.2.4 Goldgalvanik für röntgenmasken |
355 |
|
|
8.2.5 Herstellung von arbeitsmasken |
357 |
|
|
8.2.6 Justieröffnungen in röntgenarbeitsmasken |
358 |
|
|
8.3 Röntgentiefenlithographie |
359 |
|
|
8.3.1 Herstellung von dicken resistschichten |
359 |
|
|
8.3.1.1 Strahleninduzierte reaktionen und entwicklung des resists |
361 |
|
|
8.3.2 Anforderungen an die absorbierte strahlendosis |
365 |
|
|
8.3.3 Einflüsse auf die strukturqualität |
368 |
|
|
8.3.3.1 Fresnel-beugung, photoelektronen |
369 |
|
|
8.3.3.2 Divergenz der strahlung |
371 |
|
|
8.3.3.3 Neigung der absorberwände zum strahl |
372 |
|
|
8.3.3.4 Fluoreszenzstrahlung aus der maskenmembran |
372 |
|
|
8.3.3.5 Erzeugung von sekundärelektronen aus der haftund galvanikstartschicht |
372 |
|
|
8.3.3.6 Quellen des resists |
374 |
|
|
8.4 Galvanische abscheidung |
374 |
|
|
8.4.1 Galvanische abscheidung von nickel für die mikrostrukturherstellung |
375 |
|
|
8.4.2 Formeinsatzherstellung für die mikroabformung |
379 |
|
|
8.4.3 Galvanische abscheidung weiterer metalle und legierungen |
380 |
|
|
8.5 Kunststoffabformung im liga-verfahren |
382 |
|
|
8.5.1 Herstellung von mikrostrukturen im reaktionsgießverfahren |
383 |
|
|
8.5.2 Herstellung von mikrostrukturen im spritzgießverfahren |
386 |
|
|
8.5.3 Herstellung von mikrostrukturen im heißprägeverfahren |
392 |
|
|
8.5.4 llung von metallischen mikrostrukturen aus abgeformten kunststoffstrukturen (zweite galvanoformung) |
395 |
|
|
8.5.4.1 Zweite galvanoformung geprägter mikrostrukturen |
395 |
|
|
8.5.4.2 Zweite galvanoformung mit hilfe einer metallischen angussplatte |
395 |
|
|
8.5.4.3 Zweite galvanoformung mit hilfe elektrisch leitfähiger kunststoffe |
397 |
|
|
8.5.4.4 Zweite galvanoformung durch beschichtung der kunststoffstrukturen |
399 |
|
|
8.6 Variationen und ergänzende schritte des liga-verfahrens |
400 |
|
|
8.6.1 Opferschichttechnik |
400 |
|
|
8.6.2 3d-strukturierung |
403 |
|
|
8.6.2.1 Gestufte strukturen |
403 |
|
|
8.6.2.2 Geneigte strukturen |
405 |
|
|
8.6.2.3 Konische strukturen und strukturen mit sphärischer oberfläche |
406 |
|
|
8.6.2.4 Herstellung von strukturen mit beweglicher maske |
407 |
|
|
8.6.3 Herstellung licht leitender strukturen durch abformung |
409 |
|
|
8.7 Protonenlithographie (DLP) – ein weiteres strukturierungsverfahren zur herstellung von mikrostrukturen mit großem aspektverhältn |
412 |
|
|
8.8 Anwendungsbeispiele |
417 |
|
|
8.8.1 Starre metallische mikrostrukturen |
418 |
|
|
8.8.1.1 Filter für das ferne infrarot |
418 |
|
|
8.8.1.2 Mikrospulen |
419 |
|
|
8.8.1.3 Mikrozahnräder, mikrogetriebe |
421 |
|
|
8.8.2 Bewegliche mikrostrukturen, mikrosensoren, mikroaktoren |
421 |
|
|
8.8.2.1 Beschleunigungssensoren |
422 |
|
|
8.8.2.2 Elektrostatischer linearantrieb |
424 |
|
|
8.8.2.3 Elektromagnetischer linearaktor |
425 |
|
|
8.8.2.4 Mikroturbine, strömungssensoren, mikrofräser |
430 |
|
|
8.8.2.5 Mikromotoren |
431 |
|
|
8.8.3 Fluidische mikrostrukturen |
434 |
|
|
8.8.3.1 Mikrostrukturierte fluidplatten |
434 |
|
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8.8.3.2 Mikropumpen nach dem liga-verfahren |
434 |
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8.8.3.3. Mikrofluidische schalter |
434 |
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8.8.3.4 Mikrofluidische linearaktoren |
436 |
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|
8.8.4 Liga-strukturen für optische anwendungen |
437 |
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8.8.4.1 Einfache optische elemente – linsen, prismen |
438 |
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|
8.8.4.2 Mikrooptische bank |
440 |
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|
8.8.4.3 Mikrooptische bänke mit aktoren |
444 |
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|
8.8.4.4 Funktionsmodule mit optisch aktiven elementen – modulares aufbaukonzept |
449 |
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|
9 Alternative verfahren der mikrostrukturierung |
455 |
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9.1 Ultrapräzisionsmikrobearbeitung |
456 |
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9.1.1 Anwendungsbeispiele |
461 |
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9.1.1.1 Mikrowärmeüberträger |
461 |
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9.1.1.2 Mikroreaktoren |
463 |
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9.1.1.3 Retrospiegel |
464 |
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|
9.1.1.4 Mikropumpen |
465 |
|
|
9.2 Mikrofunkenerosion |
466 |
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9.2.1 Physikalisches prinzip |
466 |
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9.2.1.1 Aufbauphase |
468 |
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9.2.1.2 Entladephase |
469 |
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9.2.1.3 Abbauphase |
469 |
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|
9.2.2 Funkenerosive bearbeitung keramischer werkstoffe |
470 |
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9.2.2.1 Siliziuminfiltriertes siliziumcarbid (SiSiC) |
471 |
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9.2.2.2 Siliziumnitrid (Si3N4) |
472 |
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9.2.2.3 Elektrisch nicht leitfähige keramiken |
472 |
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9.2.3 Verfahrensvarianten |
473 |
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9.2.3.1 Funkenerosives senken |
473 |
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9.2.3.2 Funkenerosives schneiden |
474 |
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9.2.4 Anwendungsbeispiele |
477 |
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|
9.3 Präzisionselektrochemische mikrobearbeitung |
479 |
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9.3.1 Vorgänge im bearbeitungsspalt |
480 |
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9.3.1.1 Spannungsabfall |
480 |
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9.3.1.2 Anodische metallauflösung |
482 |
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9.3.2 Elektrolytlösungen |
484 |
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9.3.2.1 Kenngrößen der elektrolytlösungen |
486 |
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9.3.3 Untersuchungen verschiedener werkstoffe |
487 |
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9.3.3.1 Eisen, eisenlegierungen und stähle |
487 |
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9.3.3.2 Titan und titanlegierungen |
488 |
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9.3.3.3 Hartmetalle |
488 |
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|
9.3.4 ECM-senken mit oszillierender werkzeugelektrode |
489 |
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9.3.4.1 Prozesskenngrößen |
489 |
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|
9.3.4.2 Darstellung der vorgänge im arbeitsspalt |
490 |
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|
9.3.4.3 Werkzeugelektrodenwerkstoffe |
491 |
|
|
9.3.5 Elektrochemische bearbeitungsverfahren in der mikrosystemtechnik |
492 |
|
|
9.3.5.1 Elektrochemisches mikrobohren |
492 |
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|
9.3.5.2 Elektrochemisches mikrodrahtschneiden |
492 |
|
|
9.3.5.3 Elektrochemisches mikrofräsen |
493 |
|
|
9.3.5.4 Weitere anwendungsbeispiele des verfahrens in der mikrosystemtechnik |
494 |
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|
9.4 Replikationstechniken |
496 |
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9.4.1 Spritzgießen |
496 |
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|
9.4.2 Heißprägen |
498 |
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|
9.5 Laserunterstützte verfahren |
500 |
|
|
10 Aufbauund verbindungstechniken |
503 |
|
|
10.1 Hybridtechniken |
504 |
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|
10.1.1 Substrate und pasten |
504 |
|
|
10.1.2 Schichterzeugung |
507 |
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10.1.2.1 Trocknen und einbrennen der pasten |
508 |
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|
10.1.3 Bestücken und löten der schaltung |
508 |
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|
10.1.4 Montage und kontaktierung ungehäuster halbleiterbauelemente |
511 |
|
|
10.2 Drahtbondtechniken |
511 |
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10.2.1 Thermokompressionsdrahtbonden (warmpressschweißen) |
512 |
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10.2.2 Ultraschalldrahtbonden (ultraschallschweißen) |
513 |
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|
10.2.3 Thermosonicdrahtbonden (ultraschallwarmschweißen) |
513 |
|
|
10.2.4 Ball-wedge-bonden (kugel-keil-schweißen) |
514 |
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|
10.2.5 Wedge-wedge-bonden (keil-keil-schweißen) |
515 |
|
|
10.2.6 Vor- und nachteile der einzelnen drahtbondverfahren |
516 |
|
|
10.2.7 Prüfverfahren und alternativen |
517 |
|
|
10.3 Alternative kontaktierungstechniken |
518 |
|
|
10.3.1 Tab-technik |
518 |
|
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10.3.2 Flip-chip-technik |
519 |
|
|
10.3.3 Entwicklung neuer kontaktierungssysteme |
521 |
|
|
10.4 Kleben |
521 |
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|
10.4.1 Isotropes kleben |
522 |
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|
10.4.2 Anisotropes kleben |
523 |
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|
10.5 Anodisches bonden |
525 |
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|
11 Systemtechnik |
529 |
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11.1 Definition eines mikrosystems |
529 |
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11.2 Sensoren |
531 |
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11.3 Aktoren |
535 |
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|
11.4 Signalverarbeitung |
537 |
|
|
11.4.1 Signalverarbeitung für sensoren in mikrosystemen |
537 |
|
|
11.4.2 Neuronale datenverarbeitung für sensorarrays |
541 |
|
|
11.5 Schnittstellen eines mikrosystems |
546 |
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|
11.5.1 Ie-übertragung |
549 |
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11.5.1.1 Elektrische mikro-/makroankopplungen |
549 |
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11.5.1.2 Optische mikro-/makroankopplungen |
551 |
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|
11.5.1.3 Lichtwellenleiter-ankopplungen |
551 |
|
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11.5.1.4 Mechanische mikro-/makroankopplungen |
551 |
|
|
11.5.1.5 Ultraschallübertragung |
552 |
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11.5.2 S-übertragung |
553 |
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11.5.2.1 Fluidische mikro-/makroankopplungen |
553 |
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|
11.5.2.2 Fluidische mikrokomponenten |
553 |
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|
11.6 Entwurf, simulation und test von mikrosystemen |
555 |
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|
11.7 Modulkonzept der mikrosystemtechnik |
558 |
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Literatur |
563 |
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|
Stichwortverzeichnis |
583 |
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